Проектирование интегральных микросхем

Линейная алгебра и
аналитическая геометрия
Понятие дифференциала функции
Выполнении графических работ
Некоторые геометрические
построения
Изображение объектов
трехмерного пространства
Изображение линий на чертеже
Поверхности
Преобразование комплексного
чертежа
Позиционные задачи
Метрические задачи
Определение истинной
величины расстояний
Определение истинной
величины углов
Аксонометрические проекции
Виды аксонометрических
проекций
Прямоугольная изометрия
Прямоугольная диметрия
Основы машиностроительного
черчения
Построение видов на чертеже
Построение третьего вида
Выполнение разрезов
Выполнение сечений
Выносные элементы
Условности и упрощения
при изображении предмета
Построение наглядного
изображения предмета
Изображение соединений
деталей
Разъемные соединения
Неразъемные соединения
Специальные соединения
деталей
Вопросы для самопроверки
Рабочие чертежи деталей
Изображение изделия
Архитектура и живопись
раннехристианской эпохи
Исследования в области
мирового Возраждения
Стандарты конструкторской
документации
Правила выполнения
технических чертежей
Оборудование и материалы
для фотосъемки
Фотография как искусство
Техника фотосьемки
Использование освещения
История развития фотодела
Фокусировка диафрагма и
глубина резкости экспозиция
Сравнение версий
Windows Server
Предназначение и принципы
работы блоков питания

Многоколлекторный БПТ Структура многоколлекторного транзистора (МКТ) аналогична структуре многоэмиттерного транзистора, но радикально отличается принцип применения этого прибора в схемотехнике логических элементов и, соответственно, топология прибора.

Коэффициент передачи тока от инжектора в МКТ зависит от расположения баз и коллекторов относительно инжектора.

Приборы с инжекционным питанием образованы по меньшей мере четырьмя контактными переходами. Потому число параметров, определяющих их свойства, превышает число параметров, определяющих свойства БПТ.

Транзисторы с контактными переходами Шоттки

Транзисторы с продольной структурой В схемотехнике микроэлектронных устройств часто требуется совместить в одном технологическом процессе в пределах одного кристалла БПТ разного типа проводимости. Полагая основной структурой БПТ структуру n-p-n-транзистора, транзисторы со структурой p-n-p исполняются как дополняющие.

Пример. Оценить значение горизонтального транзистора при следующих исходных данных: Wb = 6 мкм; Dp = 6 см2/сек; W1 = 3 мкм; W2 = 2,5 мкм; Soe/Sbe = 3.

Резисторы полупроводниковых ИМС Резисторы широко применяются в цифровых и особенно в линейных интегральных микросхемах. Полупроводниковые резисторы формируются в поверхностном объеме кристалла, как правило, одновременно с изготовлением активных элементов микросхем

Проектные параметры резисторов

Алгоритм проектирования полупроводниковых резисторов

Конденсаторы со структурой МОП

Алгоритм проектирования конденсаторов БП ИМС

Материалы и структуры соединений и контактов Для межэлементных соединений применяются пленки ряда металлов и поликристаллического полупроводникового материала (кремния, в частности). Пленки металлов наносятся по диэлектрическому слою на поверхности кристаллов

Параметры и размеры соединений и контактов Минимальная ширина пленок шины металлизации (при заданной ее толщине) определяется допустимой плотностью тока (2,0–2,5)×105 А /см2 или технологическими ограничениями на размеры. Коммутационные проводники вносят в исполняемые микроэлектронные устройства не предусмотренные (паразитные) элементы: активное сопротивление (сопротивление потерь), емкости и индуктивности.

Базовые элементы цифровых биполярных микросхем На биполярных транзисторах реализованы функциональные элементы цифровых устройств, отличающиеся схемной организацией. Варианты схемных построений генерировались и сменялись по мере развития технологии производства микроэлектронных изделий.

Элементы ТТЛ с приборами Шоттки Замена диодов и БПТ в элементах ТТЛ на диоды и транзисторы с барьером Шоттки является эффективным способом повышения быстродействия логических элементов.

Элементы инжекционной логики (И2Л)

Использование диодов Шоттки в логических ячейках с инжекционным питанием позволяет уменьшить логический перепад и работу переключения, расширить логические возможности элементов. За счет этого сокращается число объединяемых элементов при построении более сложных устройств и повышается их степень интеграции. С уменьшением числа элементарных ячеек в сложном устройстве снижается полное время задержки сигнала.

Топологические конфигурации элементов ИС составляют часть состава топологических объектов, размещаемых на кристаллах. Элементы ИС подлежат соединению в пределах кристалла и потому значительную часть площади кристалла занимают проводные связи элементов.

План кристалла Перечисленные области определенным образом компонуются на кристалле, составляя основу плана кристалла.

Проектирование топологии ИС на БПТ Важным звеном в общем процессе проектирования полупро­водниковой ИМС на биполярных транзисторах является проектирование ее топологии (топологического чертежа форм, размеров и размещения элементов и соединений на кристалле).

Проектирование  полевых структур Искривление энергетических зон в полупроводниковых материалах на границе раздела с металлами может быть настолько существенным, что их поверхностный слой может обрести запирающие свойства, как это имело место в контактных переходах Шоттки, или даже изменить тип проводимости на противоположный в сравнении с глубинными слоями.

Вольтамперные характеристики МДП-транзистров

Параметры МДП-транзистора и расчетные соотношения Обобщенной формой представления функциональных свойств МДП-транзисторов являются их параметры.

Конструкции МДП-транзисторов

Алгоритмы проектирования МДП-транзисторов ИМС

Защита конструкций МДП-микросхем Для зашиты МДП-приборов от воздействия статического электричества в процессе их производства и эксплуатации, а также для борьбы с паразитными каналами предусматриваются комментируемые далее решения

Логический инвертор с активной нагрузкой МДП

Логические элементы на МДП-структурах

Полевые элементы устройств хранения информации Базовыми элементами исполнения запоминающих устройств на МДП-транзисторах являются статические и динамические элементы памяти (ЭП)

Проектирование топологии ИС на МДП В отличие от биполярных, спецификой ИС на МДП транзисторах с каналами одного типа проводимости является отсутствие изолирующих областей, так как потенциал подложки таких ИС одинаков. Для n-канальных транзисторов МДП потенциал подложки равен минимальному, а для р-канальных транзисторов — максимальному

Варианты структур элементов ПЗС Одной из важнейших функций ПЗС является задержка входного импульса на точно заданное время.

Ввод и детектирование заряда в ПЗС

Транзисторы с зарядовой связью (ТЗС) Принцип работы ТЗС, подобно ПЗС, основан на хранении и движении заряда в приповерхностном слое полупроводника. В отличие от ПЗС, в ТЗС этот процесс переноса заряда контролируется дополнительным электродом, расположенным в промежутке между принимающим и передающим.

На главную